技术和设备

电源

• 系统电源
• 电源IC

RF设备

模拟设备

功率设备

• 功率 MOSFETs
• 智能功率设备
• 二极管

电源

系统电源

零暗电流系统电源IC: TB9004FNG

发动机、刹车和EPS控制系统的理想电源

• 高性能、高端微控制器的两种恒压输出
  • 输出1: 从3.4,2.5和1.5 V中选择
  • 输出2: 5 V
• 两个微控制器的两个重置输出
• 在“停止”模式为零暗电流，用于延长电池寿命
• 为汽车应用设计
• 运行温度范围: -40℃ ～ 125℃
• 为每个电源提供限流器

电源IC

电源IC类型

按功能分类的LDO

按功能分类的LDO产品列表

系列	最高输出电流 (mA)	最高输出电压 (V)	封装	功能			输出电压		保护功能
									OCP		OVP	反向电池
				3终端	开/关	跟踪	固定的	可调整的	限制器	反馈
TA48xxBF	1000	16	新PW-模型
TA48SxxAF	1000	16	新PW-模型 5个引脚
TA48S00AF	1000	16	新PW-模型 5个引脚
TA4800AF	1000	16	新PW-模型 5个引脚
TA48LSxxF *	300	14	PS-8
TA48LS00F *	300	14	PS-8
TA58MxxF	500	29 60V 装入或转储	新PW-模型
TA58MxxS	500	29 60V 装入或转储	TO-220NIS
TA58MSxxF	500	29 60V装入或转储	新PW-模型 5个引脚
TA58LxxF	250	29 60V装入或转储	新PW-模型
TA58LxxS	250	29 60V装入或转储	TO-220NIS
TA58LT00F	150	38 60V装入或转储	新 PW-模型 5个引脚
TA58ST00F *	50	38 60V装入或转储	SOP-8
TA78DSxxF	30	29 60V装入或转储	PW-Mini
TA78DSxxBP	30	29 60V装入或转储	LSTM

• 所有这些设备都是LDO调节器
• 所有这些设备都有热关闭(TSD)保护。

按输出电压进行LDO分类

按输出电压分类的LDO产品列表

系列	最高输出电流 (mA)	最高输入电压 (v)	封装	输出电压
				1.5	1.8	2.5	3.3	5	6	8	9
TA48xxBF	1000	16	新 PW-模型
TA48SxxAF	1000	16	新 PW-模型 5个引脚
TA48S00AF	1000	16	新 PW-模型 5个引脚	可调整的 (1.5 - 9V)
TA4800AF	1000	16	新 PW-模型 5个引脚	可调整的(1.5 - 9V)
TA48LSxxF *	300	14	PS-8
TA48LS00F *	300	14	PS-8	可调整的 (1.5 - 5V)

• *: 开发中

按输出电压分类的LDO产品列表

系列	最高输出电流 (mA)	最高输入电压 (V)	封装	输出电压
				2.5	3.3	5	6	8	9	10	12	13.4	15
TA58MxxF	500	29 60V装入或转储	新 PW-模型
TA58MxxS	500	29 60V装入或转储	TO-220NIS
TA58MSxxF	500	29 60V装入或转储	新 PW-模型 5个引脚
TA58LxxF	250	29 60V装入或转储	新 PW-模型
TA58LxxS	250	29 60V装入或转储	TO-220NIS
TA58LT00F	150	38 60V装入或转储	新 PW-模型 5个引脚	可调整的 (跟踪: 2.5 - 13.4V)
TA58ST00F *	50	38 60V装入或转储	SOP-8	可调整的 (跟踪: 2.5 - 13.4V)
TA78DSxxF	30	29 60V装入或转储	PW-Mini
TA78DSxxBP	30	29 60V装入或转储	LSTM

• *: 开发中

RF设备

由于汽车变得更加智能化，无线电通信技术已被更加广泛地使用。无线电通信技术和RF设备的应用实例按三种类别显示在下面：控制器、收音机和电信系统。东芝的RF设备支持无线电通信的使用。

远程无键输入系统

• RF IC: TB31370FNG,TB31371FNG
• 系统电源: TB9000FG,TB9001FNG
• 8位微控制器: TMP86C808xDMG,TMP86CH47xUG

DSRC (ETC): ARIB-STD-T75/88系统

• RF模块: TB32160FG

模拟设备

BiCD^* 处理技术使数字、模拟和电源电路一体化

对在数据输入/输出界面上的汽车模拟IC的要求包含在一个较宽的温度范围内具有高耐压、高可靠性和高稳定性。最近几年，对混合数字/模拟设备和电源输出电路的片上集成的市场需求也在增长。为了满足这些需求，东芝公司运用了一个BiCD处理，其整合了双极晶体管、CMOS逻辑和高电压和大电流功率MOS。

低开态电阻功率MOS的集成帮助减少电源消耗，简化了热设计，让使用更小的封装成为可能。

东芝的高质量模拟设备提供了包括低备用电流电源IC，ASSPs, 例如将各种制动器驱动器、广泛的多种接口设备、功率驱动器和传统的大规模数字逻辑IC集成在同一块芯片上的。

• (*) BiCD处理将三种组件集成在一块芯片上：高电流双极晶体管、低功率和高密度CMOS FETs，和高击穿电压及高电流DMOS(双扩散MOS)组件。

BiCD应用实例

东芝的BiCD处理技术使用在各种汽车应用中。下列数字仅显示了几个例子。更多信息请访问联系我们。

功率设备

功率MOSFETs

智能功率设备(IPDs)

• 处理和产品
• 网关驱动器，用于低压侧和高压侧转换

二极管

• 扁平封装

功率MOSFETs

低-Ron U-MOSIII系列：用于12-V电池系统的设备

特征

• 使用U-MOSIII设计，一个小的几何电缆沟处理，来获得低开态电阻。
• 雪崩额定的
• 正向栅源稳压二极管，用于ESD保护

低-Ron U-MOSIII系列：用于12-V电池系统的设备

部件型号	最大额定值		封装	RDS(ON)最大值 [mΩ] (VGS = 10 V)
	VDDS(V)	ID(A)
2SK3846	40	35	TO-220NIS	18
2SK3847		35	TO-220SM	18
2SK3843		75	TFP	4
2SK4033	60	5	新PW-模型	100
2SK3662		35	TO-220NIS	12.5
2SK3842		75	TFP	5.8
2SK3844		45	TO-220NIS	5.8
2SK3845		70	TO-3P(N)	5.8
2SJ668	-60	-5	新PW-模型	170
2SJ669		-5	TPS	170
TPCA8104		-40	SOP提升	16
2SK3940	75	70	TO-3P(N)	7

智能功率设备 (IPDs)

处理和产品

高压侧和低压侧开关网关驱动器

网关驱动IPDs

部件型号	功能	# 输出	处理	额定值 (Tch = 25 ℃)	特征
					保护特征	诊断特征	其它
TPD7000AF	低压侧功率MOSFET网关驱动器	4	双极的	25 V/20 mA	功率MOSFET OCP;有源钳位	功率MOSFET OCP	-
TPD7101F	高压侧功率MOSFET网关驱动器	2	Bi-CMOS+DMOS	30 V/±0.1 A (typ.)	功率 MOSFET OCP & UVP	功率 MOSFET OCP, SCP, OVP & UVP	*1
TPD7203F	用于3相电机控制的功率MOSFET网关驱动器	6	Bi-CMOS+DMOS	30 V/±1 A	UVP	UVP	*2
TPD7210F	用于3相电机控制的功率MOSFET网关驱动器	6	Bi-CMOS+DMOS	30 V/±1 A	-	UVP	*2

• 封装: SSOP24
• *1: 含有一个进料泵。过流探测可通过外部电阻器调整。
• *2: 包含一个进料泵，能够控制一个H桥。

高压侧开关IPDs

部件型号	# 输出	额定值		封装	特征
		供压范围 VDD(opr) [V]	开态电阻 RDS(ON)最大值[Ω] @Tch=25℃		保护特征	诊断特征	其它
TPD1018F	1	5 - 25	0.8	SSOP-10	OCP TSP OVP	OCP TSP OVP	-
TPD1033F	1	5 - 18	0.22	SOP-8	OCP TSP	OCP TSP 空载	-
TPD1034F	1	5 - 18	0.08	SOP-8	OCP TSP	OCP TSP 空载	-
TPD1038F	1	6 - 18	0.12	SOP-8	OCP TSP Active clamp	OCP TSP 空载	-
TPD1042F	1	6 - 18	0.12	SOP-8	OCP TSP	OCP TSP 空载	-
TPD1047F	1	6 - 18	0.25	SOP-8	OCP TSP	-	*1
TPD1049F**	1	5 - 18	0.08	SOP-提升	OCP TSP	OCP TSP 空载	-

• **: 开发中
• 处理: Bi-CMOS+DMOS
• 上面显示的所有封装都是SMD封装。
• *1: 提供一个负载电流监控特征。

低压侧开关IPDs

部件型号	# 输出	额定值		封装	特征
		供压范围 VDD(opr) [V]	开态电阻 RDS(ON)max[Ω] @Tch=25℃		保护特征
TPD1030F	2	～40	0.6	SOP-8	OCP; TSP; 有源钳位
TPD1031AF	1	～18	0.065	TO-220SM	OCP; TSP; 有源钳位
TPD1032F	2	～20	0.4	SOP-8	OCP; TSP; 有源钳位
TPD1036F	2	～30	0.5	SOP-8	OCP; TSP;有源钳位
TPD1044F	1	～41	0.6	PS-8	OCP; TSP;有源钳位
TPD1045F	1	～18	0.1	SOP-8	OCP; TSP; 有源钳位
TPD1046F	2	～20	0.2	SOP-8	OCP; TSP; 有源钳位

• 处理：合成 MOS
• 上面显示的所有封装都是SMD封装。

在S/M-FLAT™ 封装里的二极管

S-FLAT™产品列表

类型	部件型号	IF(AV)	VRRM	VFM (@IFM)	IRRM	特征
FRD	CRF03	0.7 A	600 V	2.0V最大值 (@0.7A)	10μA最大值 @600V	trr = 100 ns最大值
通用	CRG01	0.7 A	100 V	1.1V最大值 (@0.7A)	10μA最大值 @100V	使用 100-到 800-VRRM可用的
	CRG02		400 V		10μA 最大值 @400V
	CRG07		400 V		10μA最大值 @400V * 在175℃下保证， 基于AEC-Q101设计的
	CRG03	1 A	400 V		10μA最大值 @400V
	CRG04		600 V	1.1V最大值 (@1A)	10μA最大值 @600V
	CRG05		800 V		10μA最大值 @800V
Zener	CRY62 to CRZ47	P=0.7 W	Vz=6.2 V to 47 V	1.0V最大值 (@0.2A)	10μA最大值 @Vz*0.8	过电压保护

• 条件: Ta=25℃

M-FLAT™产品列表

类型	部件型号	IF(AV)	VRRM/Vz	trr (最大值)	VFM (最大值)
HED	CMH05	1 A	400 V	50 ns	1.5 V
	CMH05A			35 ns	1.8 V
	CMH08	2 A		50 ns	1.5 V
	CMH08A			35 ns	1.8 V
	CMH02	3 A		50 ns	1.5 V
	CMH02A			35 ns	1.8 V
通用	CMG02	2 A	400 V	-	1.1 V
	CMG03		600 V	-	1.1 V
齐纳	CMZ12-53	P=2 W	12 to 53 V	-	-
	CMZB系列	P=1 W	18,27,33,39,47,51 V	-	-
	CMZM16	P=1 W	16 V	-	-

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