东芝和NEC电子合作开发45纳米系统LSI制程技术

东芝集团和NEC电子公司宣布已于今日达成协议合作开发45纳米CMOS逻辑制程技术。

鉴于半导体制程技术的发展越来越复杂、周期长和昂贵，联合开发使得两家公司能够分担负担并加速开发，同时提升系统LSI的性能和质量。

在协议条款下，来自东芝和NEC电子的工程师将在位于横滨的东芝先进微电子中心合作开发基本CMOS制程技术，使得两家公司都可将之应用于生产厂。两公司还将单独讨论附加价值和分化制程技术的开发问题。

在前沿系统LSI产业中，制程宽度正在不断缩短，以达到数字消费产品和移动通信设备应用中的高速率、低功耗系统LSI要求。现在，90nm的技术已经进入量产。为实现性能和功耗方面的进一步提升，正在开发65nm甚至45nm制程技术。实现45nm系统芯片较以往需要更多的资源，全世界范围内的系统LSI公司都在加强合作以提升开发效率。

通过开发和量产卓越的系统LSI产品，瞄取全球半导体产业中的领导地位。