NEC电子株式会社、索尼株式会社、株式会社东芝关于共同开发45纳米的系统LSI工艺技术

NEC电子株式会社（以下简称NEC电子）、索尼株式会社（同索尼）以及株式会社东芝（同东芝）就共同开发对应于45纳米（1纳米相当于十亿分之一：以下简称nm）的系统LSI工艺技术一事达成了共识。

最先进系统LSI除了要求数字消费设备及移动通讯设备等数据的高速处理等高性能及高功能以外，还要求低耗电量及小型化等各种技术。开发满足要求的微细化工艺技术，变得越来越重要，且越来越难。

为此，开发包括45nm在内的最先进LSI的工艺，需要投入远大于以往的巨大的开发资源，世界上的系统LSI各家公司都以实现更有效的开发为目标，不断构筑合作关系。

索尼和东芝于2004年2月发表了共同开发对应于45nm的系统LSI工艺技术，正以东芝先进微电子中心（横滨市新杉田）为基地，进行各种技术开发。在半导体相关学会等上进行发表，获得好评。另一方面，NEC电子和东芝于2005年11月，就共同开发同代的工艺技术达成共识，并开展具体的讨论工作。

通过本次共识，NEC电子的45nm开发要员将参加索尼和东芝的共同开发。通过将3家公司的开发资源和东芝先进微电子中心进行结合，来共同推进45nm代的系统LSI工艺技术开发，旨在提高开发效率和开发速度的进一步加速。3家公司以构筑要求更高技术的45nm系统LSI工艺技术的更强的开发体制，尽早确立相同技术为目标。