东芝推出最高容量(1)的嵌入式NAND闪存模块
--符合e•MMCTM(2)标准的嵌入式存储器，足以将64GB NAND和一个控制器纳入一个封装中--
(2009年12月15日，北京)东京东芝株式会社(TOKYO: 6502)今天宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块，该容量是目前业内的最高容量。64GB模块是一系列6款新型嵌入式NAND闪存模块的旗舰产品。该系列产品完全符合最新的 e·MMCTM标准，可用于各种数字消费产品，包括智能电话、手机、笔记本和数码摄像机。64GB样品于今日推出，量产从2010年第1季度开始。
64GB模块收纳了16枚采用东芝32nm 制程技术的32Gbit (=4GB) NAND芯片和一个专用控制器。东芝是第一家成功组合16枚32Gbit NAND芯片的公司。通过先进的芯片薄化及层叠技术，东芝成功实现了每个芯片只有30微米厚度。新产品完全符合针对嵌入式MultiMediaCards(多媒体卡)的JEDEC/MMCA Version 4.4(V4.4)标准，支持标准接口连接，可以非常简便的用于嵌入式产品，大大减少产品制造商的开发负担。
东芝提供一系列单封装嵌入式NAND闪存模块，容量从2GB到64GB不等。所有这些闪存产品都含带一个控制器，可用于管理NAND应用的基本控制功能。这些产品均符合最新的e·MMCTM标准和新产品特征，包括定义多个存储区和强化安全性功能。
由于可以有效降低开发要求和便于系统集成，业界对带有控制器功能的嵌入式存储器的需求不断扩大。东芝已经成为该领域的开拓者。东芝曾第一个宣布推出符合e·MMCTM标准的32GB闪存模块。现在通过第一个将64GB模块带入市场，东芝将以此巩固其领先地位。
新产品系列
产品型号 |
容量 |
封装 |
样品出货 |
量产时间 |
量产规模 |
THGBM2G9DGFBAI2 |
64GB |
169Ball FBGA 14x18x1.4mm |
2009年12月 |
2010年第1季度 (1月-3月) |
300万个/月 (总计) |
THGBM2G8D8FBAIB |
32GB |
169Ball FBGA 12x16x1.4mm |
2010年2月 |
2010年第2季度 (4月-6月) |
|
THGBM2G7D4FBAI9 |
16GB |
169Ball FBGA 12x16x1.2mm |
2010年1月 |
2010年第1季度 (1月-3月) |
|
THGBM2G6D2FBAI9 |
8GB |
169Ball FBGA 12x16x1.2mm |
2010年3月 |
2010年第2季度 (4月-6月) |
|
THGBM2G5D1FBAI9 |
4GB |
169Ball FBGA 12x16x1.2mm |
2010年4月 |
2010年第2季度 (4月-6月) |
|
THGBM2G4D1FBAI8 |
2GB |
153Ball FBGA 11.5x13x1.2mm |
2010年第2季度 (4月-6月) |
2010年第3季度 (7月-9月) |
主要特征
1.符合JEDEC/MMCA V4.4标准的接口可处理写入块管理、错误修正和驱动器软件等基本功能。此接口可以简化系统开发过程，降低开发成本，同时加速产品上市时间。
2.备有从大容量64GB到较小容量2GB的多种产品。最大容量的64GB嵌入式闪存模块可以记录大约1,070小时的音乐数据(@128Kbps), 或8.3小时的全高清视频数据(full spec High Definition video)，或19.2小时的标清视频数据(Standard Definition video)(3)。
3.64GB产品内部堆叠16枚采用32nm制程技术的32Gbit芯片。凭借先进的芯片薄化、层叠和引线接合技术，东芝成功实现了单颗芯片只有30微米厚度，并且在一个小型封装中对这些芯片进行层叠和连线。最终成功推出了业内容量最高的嵌入式NAND闪存模块。
64GB模块的内部结构
4. 新型64GB产品采用小型FBGA封装(长14 x 宽18 x 高1.4mm)，引脚排列符合JEDEC/MMCA V4.4标准。
规格
e·MMCTM
接口 |
JEDEC/MMCA V4.4标准的HS-MMC接口 |
电源电压 |
2.7V至3.6V (存储器内核); 1.65V至1.95V / 2.7V至3.6V (接口) |
总线宽度 |
x1, x4, x8 |
写入速度 |
Target 20MB秒 (连续/交叉模式) Target 9MB秒 (连续/非交叉模式)* |
读取速度 |
Target 37MB秒 (连续/交叉模式) Target 22MB秒 (连续/非交叉模式)* |
温度范围 |
-25℃～+85℃ |
封装 |
153Ball FBGA (+16支持ball) |
* 仅用于THGBM2G5D1FBAI9和THGBM2G4D1FBAI8。
(1) 适用于嵌入式NAND闪存模块。来源：东芝, 2009年12月
(2) e·MMCTM是JEDEC/MultiMediaCard Association (多媒体卡协会MMCA) MMC标准关于嵌入式存储器产品类的一个商标和产品类别。
(3) High Definition和Standard Definition分别按照17Mbps和7Mbps平均比特率进行计算。