新闻/动态
以下是关于东芝半导体公司的新闻及动态。
关于2005年以前的新闻，请参阅"东芝集团新闻"。
2010
- 东芝与AIST共同开发掩模图案优化技术, 从而延长光刻技术的寿命 (2010年02月15日)
- 东芝与南通富士通携手打造半导体后道合资事业的公司概要 (2010年02月10日)
- 东芝开发SRAM电路技术从而保证系统LSI的低压运转 (2010年02月08日)
- 东芝加强存储器件后道工程部门的开发能力 (2010年02月03日)
- 东芝扩大32纳米MLC SSD的阵容 (2010年01月07日)
2009
- 东芝推出最高容量(1)的嵌入式NAND闪存模块 (2009年12月15日)
- 东芝SSD专题网站已发布. (2009年12月11日)
- 东芝公司研制出用于20纳米大规模集成电路的高性能CMOS设备技术 (2009年12月09日)
- 东芝公司研制出自旋电子MOS场效应晶体管基本技术 (2009年12月08日)
- 东芝与南通富士通携手打造半导体后工序合资事业 (2009年11月20日)
- 射频器件替代品查找. (2009年10月29日)
- 东芝推出配备BSI的高灵敏度CMOS图像传感器 (2009年10月27日)
- 仲谷、安靠和东芝就半导体后道工程的合资事宜签订最终协议 (2009年10月23日)
- 晶体管阵列替代品查找. (2009年10月08日)
- 东芝推出32nm mSATA和half-slim超小型固态硬盘模组 (2009年09月27日)
- 仲谷、安靠和东芝继续系统LSI合资方面的商议 (2009年09月16日)
- CMOS逻辑IC替代品查找. (2009年09月14日)
- 二极管替代品查找. (2009年08月19日)
- MOSFET替代品查找. (2009年08月19日)
- 综合目录(2009-08) 已更新。 (2009年08月19日)
- 东芝推出全球首张 SDXC 存储卡 (2009年08月04日)
- 光电半导体器件:替代品查找. (2009年07月20日)
- NEC电子和东芝延长与IBM之间的芯片技术开发协议 (2009年07月20日)
- 东芝开发了一种专用于LSI的新型高k/Ge栅极堆叠技术,节点至少为16纳米(nm) (2009年07月20日)
- 东芝、仲谷和安靠就建立一家LSI系统装配和测试服务合资公司的事宜签订一份谅解备忘录 (2009年04月28日)
- 东芝推出世界上第一款32nm处理NAND闪存 (2009年04月27日)
- 东芝于2009财年第一季度(2009年4月至6月)不断调整半导体的生产 (2009年04月24日)
- 东芝采用每单元3位的纳米和4位的43纳米技术在NAND闪存领域中处于领先地位 (2009年02月11日)
- 东芝成功开发世界上最高带宽, 最高密度的非易失性RAM (2009年02月09日)
2008
- 东芝建立40纳米CMOS工艺专用的新平台技术 (2008年12月18日)
- 东芝利用先进的单曝光石印术开发低成本的32纳米CMOS平台技术 (2008年12月18日)
- 东芝推出行业内第一款512GB固态驱动和下一代的SSD家族使用43nm的MLC NAND闪存 (2008年12月18日)
- 东芝、IBM和AMD开发世界上最小的带有高介电率(high-k)/金属栅的FinFET SRAM元件 (2008年12月17日)
- 东芝调整四日市工厂NAND闪存产量 (2008年12月16日)
- 东芝推出行业中最大16GB microSDHC (2008年11月26日)
- 东芝推出43nm的SLC NAND闪存--引进行业内最高密度的SLC NAND16Gb芯片和改进的SLC产品 (2008年10月28日)
- 东芝和Sandisk重新分配NAND闪存合资的各自产量 (2008年10月20日)
- 东芝发行256GBMLC固态驱动器 (2008年09月26日)
- 东芝推出配备MLC的256GB固态驱动器--同时也为强化加入了小型闪存模块 (2008年09月26日)
- 东芝推出行业内最大容量的嵌入式NAND闪存--同时也为强化加入了小型闪存模块 (2008年08月07日)
- 不用机顶盒，普通CRT电视机一样看数字电视--东芝电子携手凌讯科技推出CRT数字电视一体机解决方案 (2008年07月31日)
- 东芝通过螺旋状直接硅接合技术实现下一代CMOS技术用更高的孔穴活动性 (2008年06月20日)
- 东芝新成功研发升压门密度的设计布局用可变性认知建模 (2008年06月19日)
- 东芝重新配置四日市工厂内的200mm晶圆生产流水线 (2008年06月16日)
- 东芝开发降低成本的MEMS封装技术 (2008年05月30日)
- 东芝、索尼和SCEI就高性能半导体制造初步确立新的合资公司 (2008年02月20日)
- 东芝推进Fab产量 (2008年02月19日)
- 东芝和SanDisk在日本采用最新先进的Fab设备结构扩大NAND闪存产品 (2008年02月19日)
- 东芝采用43纳米CMOS制程技术开发16GbNAND闪存 (2008年02月07日)
- 东芝宣布成功研制世界上最高性能的物理随机数发生器电路 (2008年02月07日)
- 东芝成功研发世界上最快的嵌入式DRAM技术 (2008年02月06日)
2007
- 夏普和东芝形成LCD和半导体商务领域的联盟 (2007年12月21日)
- 东芝和IBM扩大半导体研发合作 (2007年12月18日)
- 东芝开发32纳米代及更高代系统LSI的潜力技术 (2007年12月13日)
- 东芝成功开发世界上最小的10纳米代闪存元件的基本技术 (2007年12月12日)
- 东芝发售带有MLC器件的高性能固态驱动器(SSD) (2007年12月10日)
- 三星和东芝共有高级NAND闪存规格，增加供应商和采购方的灵活性 (2007年12月03日)
- 东芝和NEC电子宣布共同开发32纳米系统LSI制程技术 (2007年11月27日)
- 东芝开发对应GB容量级新的MRAM设备 (2007年11月06日)
- 东芝、索尼和SCEI就共同投资加强高性能半导体产品制造能力达成共识 (2007年10月18日)
- 东芝和加贺东芝将新建造200毫米晶片加工厂 (2007年10月15日)
- 东芝为提高竞争力开发摄像传感器为移动电话内部制造CMOS 照相机模块 (2007年10月01日)
- 东芝和SanDisk用于生产NAND闪存的300mm 晶圆的第4栋新厂房的开幕典礼在四日市工厂举行 (2007年09月04日)
- 东芝增加新的高密度SDHC 卡和microSDHC 卡来扩充存储卡产品阵容 (2007年08月22日)
- 东芝为移动电话投放世界最高性能3D Graphics LSI (2007年07月17日)
- 东芝增加4GB microSDHC to Extensive Memory Card Line-up (2007年06月27日)
- 东芝新的存储芯片支持移动电话SLC 和MLC 存储器 (2007年06月21日)
- 东芝开发60GHz 接收器技术使用CMOS 设备 (2007年06月15日)
- 东芝开发新的NAND Flash技术 (2007年06月12日)
- 新化学再使用环境意识半导体脱胶技术开发 (2007年06月05日)
东芝公司、芝浦先进科技股份有限公司和氯工程公司使用电解硫磺酸联合开发了一项创新性的半导体脱胶技术。 - 量子密码安全插入窥孔 (2007年06月05日)
东芝研究欧洲有限公司开发了两种新技术来实现无条件地安全量子密钥分配(QKD)。为了做到这点，东芝已克服了当前商业QKD系统里的一个潜在的安全窥孔。 - 东芝推出面向便携式产品的业内最高容量的嵌入式NAND闪存 (2007年04月17日)
- 关于面向最先进LSI的杂质分析新技术 (2007年04月16日)
- 东芝、索尼和NEC电子三家公司发布下一代45nm高性能系统LSI大规模生产平台技术 (2007年01月30日)
东芝、索尼和NEC电子三家公司发布下一代45nm高性能系统LSI大规模生产平台技术。 - 东芝推出采用56nm，16GB NAND闪存 (2007年01月24日)
- 东芝SD存储卡系列产品家族再次扩充 (2007年01月05日)
2006
- 东芝、索尼和NEC电子公司揭开了用于45nm代高性能系统LSI的大规模生产平台技术。 (2006年12月14日)
- 面向1.9GHz到2.5GHz无线应用的SiGe功率放大器：TA4401CT (2006年11月26日)
- 东芝推出全球最高级别SDHC存储卡 (2006年11月20日)
- 东芝注册了ARM11家族处理器 (2006年11月08日)
- 东芝和Micron同意解决所有悬而未决的诉讼 (2006年09月15日)
- 关于USB闪存产品的阵容扩充 (2006年08月29日)
- 「超高速系列」「高速系列」SD存储卡新上市 (2006年08月24日)
- 东芝和SanDisk在四日市启动与非型闪存的300毫米晶片加工厂的建造 (2006年08月04日)
- 采用逻辑地址访问方式的NAND型闪存解决型产品的开发 (2006年08月02日)
- 东芝在法律诉讼中达成对员工发明权赔偿的协议 (2006年07月27日)
- SD存储卡新系列上市 (2006年06月28日)
- 东芝新的多芯片封装集成了兆字节级NAND闪存和SD控制器 (2006年06月14日)
- 2GB miniSD存储卡全球上市 (2006年05月24日)
- 东芝发布了新开发的基于第三代移动通信手持式应用MDDI技术的VGA液晶显示控制器 (2006年02月13日)
- 株式会社东芝和日本电气株式会社开发世界最快、最高密度的MRAM (2006年02月07日)
- 株式会社东芝开发世界最快、最大容量的FeRAM (2006年02月07日)