6.5代RC-IGBT系列: GT50MR21, GT50NR21, GT40QR21, GT40WR21

2012年04月19日

第6.5代RC-IGBT系列的产品，是将IGBT与二极管集成至了一个芯片中，而不是传统模型配置中所用的两个芯片，这种配置使得该产品非常环保，而且能减少反向导通二极管的热阻。

车载PS-8封装N通道功率 MOSFET: TPCP8009, TPCP8010, TPCP8011, TPCP8207

2012年04月19日

车载功率MOSFET的产品阵容中，我们添加了四个全新的小封装模块(PS-8)。

采用了半间距封装的单通道轻薄通用晶体管耦合器: TLP290, TLP291

2012年04月17日

TLP290和TLP291是采用了SO4封装的单通道输出晶体管耦合器，具有高绝缘电压(3750 Vrms)及能确保在高温(Ta = 110 deg C最大值)下操作的特点。

具有高达125摄氏度高温操作保证的IPM(智能功率模块)驱动IC光电耦合器: TLP754

2012年04月17日

东芝推出了一个全新的采用DIP8封装的IPM驱动IC光电耦合器，其工作温度范围非常广泛: Topr = −40 deg C至125 deg C (TLP759 (IGM): Topr: 100 deg C最大值)。

N沟道半功率: SSM3K335R

2012年03月29日

我们推出了安装在 SOT-23F 封装上的4.5 V 驱动N沟道MOSFET。此款N沟道 MOSFET采用最新工艺, 适用于直流-直流转换器，比现在流行的 SSM3K14T 具有更快的开关功能。