低VF 和低IR SBD
- 改进后的VF-IR交换
- 对于肖特基势垒二极管(SBD)而言, 理想的反向电流(IR)和正向电压(VF)较低。但是，这两者之间存在交换关系。
东芝新开发的SBD其交换性能有所改进。与正向电压相同的其它先前产品相比，这些新型SBD的反向泄漏电流只是先前产品的三分之一左右。
这些SBD是手机、数码相机等节能要求较高的电池供电设备的理想选择。
特征
- 正向电压和反向泄漏电流均较低
- 小封装:
USC (2.5 × 1.25 × 0.9 毫米, 2管脚), CST2B (1.2 × 0.8 × 0.38毫米, 2管脚), CST2C (1.6 × 0.8 × 0.48毫米, 2管脚)
封装详情
内部配置
应用电路实例
主要特性
低VF SBD和低IR SBD主要特性表
| |
部件型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
| VR(V) |
IO(A) |
VF(V) |
IR(µA) |
CT(pF) |
| 最大值 |
@IF(A) |
最大值 |
@VR(V) |
标准值 |
@VR(V) |
| 低 VF |
DSF05S30U |
USC |
30 |
0.5 |
0.45 |
0.5 |
50 |
30 |
120 |
0 |
| DSF05S30CTB |
CST2B |
| DSF07S30U |
USC |
30 |
0.7 |
0.45 |
0.7 |
50 |
30 |
170 |
0 |
| DSF07S30CTC |
CST2C |
| 低 IR |
DSR05S30U |
USC |
30 |
0.5 |
0.55 |
0.5 |
5 |
30 |
120 |
0 |
| DSR05S30CTB |
CST2B |
| DSR07S30U |
USC |
30 |
0.7 |
0.55 |
0.7 |
5 |
30 |
160 |
0 |
| DSR07S30CTC |
CST2C |
155 |
