多芯片封装存储器
新型移动LBA-NAND闪存支持标准的与非闪存接口且包含一个逻辑块地址存取(LBA)控制器，该闪存可实现的主要功能包括程序烧录/擦除块管理和错误代码修正(ECC)。这些功能可以减少主机控制器的工作量。现已实现封装在MCPs里的高密度的移动LBA-NAND闪存。该新型内存既提供了单级单元又提供了多级单元的存储区域，可使应用程序和数据存储在同一芯片上。厂商不用分配SLC和MLC存储区域，该种设计思想使他们减少了单个产品的芯片数量，节省空间。
特征
- 可以和品种丰富的内存LSI全系列产品进行灵活多样的搭配组合。
- 使用了最新的MCP堆叠技术，9层(包含内部晶圆间隔)堆叠的封装厚度为1.4mm，并可实现封装厚度为1.0mm的5层堆叠。
- 在同一内存芯片上，可以以任意容量设定适合于高速写入读取的双值存储区域以及提高每个器件的数据存储量的多值存储区域，例如每个内存数组中存储数码照片、录像和音乐文件。内存容量在2Gb、4Gb、8Gb各种新产品可以根据用途，设定到各内存容量的最大值，内存容量在16Gb、32Gb的各种新产品可以根据用途，最大设定到8Gb。
东芝MCP路标
