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带有强化隔离功能的微型扁平光电晶体管耦合器:TLP285

TLP285是一款采用 SOP4微型扁平外壳的新型光电晶体管耦合器,具有强化隔离功能,符合国际安全标准的规定。

TLP285的隔离电压较高(最低3750Vrms AC),工作温度范围较大(Ta = -55 °C 至110 °C),适用于各种应用情况,例如需要装配高密度电路板的电源和混合IC、家用电器、通信设备、各种控制器等。

带有强化隔离功能的微型扁平光电晶体管耦合器TLP285图片

特征

封装详情

封装详情说明图

应用

电流传输比

TLP285电流传输比表
等级 最小值 最大值
- 50 600
Y 50 150
GR 100 300
GB 100 600
BL 200 600
YH * 75 150
GRL * 100 200
GRH * 150 300
BLL * 200 400

主要特性

TLP285主要特性表
特性 符号 测试条件 最小值 标准值 最大值 单位
工作温度 Topr - -55 - 110 °C
存储温度 Tstg - -55 - 125 °C
发光二极管 正向电流 VF IF = 10 mA 1.0 1.15 1.3 V
反向电流 IR VR = 5 V - - 10 µA
电容 CT V = 0 V, f = 1 MHz - 30 - pF
探测器 集电极到发射极间的击穿电压 V(BR)CEO IC = 0.5 mA 80 - - V
发射极到集电极间的击穿电压 V(BR)ECO IE = 0.1 mA 7 - - V
集电极暗电流 ICEO VCE = 48 V - 0.01 0.1 µA
集电极到发射极间的电容 CCE V = 0 V, f = 1 MHz - 10 - pF
电流传输比(CTR) IC/IF IF = 5 mA, VCE = 5 V 参见"电流传输比" %
饱和CTR IC/IF(sat) IF = 1 mA, VCE = 0.4 V - 60 - %
  GB级 30 - -
集电极到发射极间的饱和电压 VCE(sat) IC = 2.4 mA, IF = 8 mA - - 0.4 V
IC = 0.2 mA, IF = 1 mA - 0.2 -
  Rank GB - - 0.4
集电极闭态电流 IC(off) VF = 0.7 V, VCE = 48 V - - 10 µA
输入端到输出端间的杂散电容 CS VS = 0 V, f = 1 MHz - 0.8 - pF
隔离电阻 RS VS = 500 V, R.H. ≤ 60 % 5 × 1010 1014 - Ω
隔离电压 BVS AC, 1 min 3750 - - Vrms
打开时间 tON RL = 1.9 kΩ, VCC = 5 V
IF = 16 mA,(图1)
- 2 - µs
关闭时间 tOFF - 40 -

时间测量电路说明图

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