射频器件 产品介绍
东芝高频器件拥有从小信号二极管到电力增幅用功率放大器模块的范围广泛的产品系列。对应于电子设备的小型化、高性能化的表面贴装产品系列也非常丰富。
按产品系列分类。
按产品应用分类。
高频： MOS系列
东芝高频用MOSFET是指门极端子（G）为2根双门极型的产品。在门极1（G1）输入高频信号，在其它门极2（G2）外加增益控制用电压VG2加以控制。
高频小信号FET
高频功率MOSFET
开发用于VHF以及UHF电视广播设备的信号发送电力增幅用、800MHz手机信号发送电力增幅用。具有高增益、高效的特征。
高频：双极型
高频双极型小信号晶体管
- 高频双极型晶体管
- 复合高频双极型晶体管
- 同一封装内打在不同特性的2个晶体管。
一个用于VCO，另一个用于缓冲。 - SiGe HBT (锗硅异质结双极晶体管)
- 通过将双极型晶体管的基极做成SiGe化合物，从而提高高频特性。
高频双极型功率晶体管
拥有HF波段到VHF、UHF波段的高功率晶体管。适用于高频高功率放大器和增压器。
高频二极管
变容二极管
指根据阳极、阴极之间外加的反向偏置电压的值，容量值可以发生变化的二极管。也被称作VCD（Variable Capacitance Diode）或VariCap。主要作为电子同步用用于高频调谐器整合电路等。
射频开关二极管
- 波段开关用二极管
- 由于PN接合容量非常小，因此被用于高频信号的开关。这种二极管最适合TV调谐器的UHF/VHF波段的波段区域切换等。
- PIN二极管
- 指具有一般的PN接合之间夹着不扩散杂质的本征半导体层的结构的二极管。外加正向电流的话，可以控制串联阻抗，因此最适合调整最大输入的自动增益控制电路等。
高频用肖特基势垒二极管
- 混频器用肖特基势垒二极管
- 使用金属和半导体接触形成的整流性、来替代PN接合的二极管。以多数载子工作。正向电压较小，反向恢复时间较短，因此适合高频信号的混频电路。
小信号MMIC （高频单元封装）
指小型表面贴装封装内内置、集成放大器、混频器等移动体通讯所必需的电路的高频IC。由于外置部件少，因此可以实现低耗电、小型化、设计的简易化。
- 宽波段放大器
- 频率变换用
- 高频振荡用（VCO，TCXO）
- 高频切换用
高频功率放大器IC
拥有对应于移动无线、商务用无线、业余无线等的丰富的产品系列。
动态
- 用于电视调谐器的低噪声、轻度失真放大器: MT3S111/P/TU (2008年04月10日)
- 可变增益式VHF差动放大器: TA4031CT (2008年04月10日)
- 用于VHF/UHF 轻度失真、低噪声放大器(LNA)的硅晶体管 (2008年02月27日)
- 面向1.9GHz到2.5GHz无线应用的SiGe功率放大器 (2006年01月26日)
- W-CDMA（宽带码分多址）双频带射频大规模集成电路芯片组 (2005年08月16日)
- 面向PHS的带内置小数N分频锁相环的中频收发单块芯片 (2005年05月30日)
