W-CDMA（宽带码分多址）双频带射频大规模集成电路芯片组
编号： TB31335FTG/TB31336AFTG/TB31337FTG
W-CDMA（宽带码分多址）第三代移动电话市场正在快速的发展。伴随着用户的与日俱增，人们正在尝试着去提高频带（现存的2GHz加上新的800MHz的带宽）。而且，随着对LSI集成的更大需求，进一步的降低尺寸和成本变得十分重要。
TB31335FTG、TB31336AFTG和TB31337FTG W-CDMA（宽带码分多址）双带宽射频大规模集成电路芯片组通过使用了提供业界内最低安装高度的封装形式，实现了尺寸和安装高度的减小。锗化硅Bi-CMOS（互补型金属氧化物半导体）工艺的使用实现了低功耗和高调制性能（EVM），由此带来了更长的待机时间和请求时间。
特征
- TB31335FTG（双带宽低噪放大器）
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- 低电流消耗：3mA（典型，800MHz带宽/2GHz带宽）。
- 低外部器件数：内置输出匹配电路。
- 超小而薄的封装：TQON16（2.4 毫米 × 2.4 毫米 × 0.5 毫米，0.5毫米间距）。
- 使用了锗化硅Bi-CMOS（互补型金属氧化物半导体）工艺。
- TB31336AFTG（双带宽接收器集成电路）
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- 低电流消耗：28.4mA（典型，800MHz带宽），32.3mA（典型，2GHz带宽）。
- EVM性能：11%rms（典型，800MHz带宽），12%rms（典型，2GHz带宽）。
- 低外部器件数：使用直接转换系统。
- 高速锁定和低噪声：内置分级N型锁相环（PLL）和压控振荡器（VCO）。
- 超小而薄的封装：VTQON44（5.3 毫米 × 5.3 毫米 × 0.6 毫米，0.4毫米间距）。
- 使用了锗化硅Bi-CMOS（互补型金属氧化物半导体）工艺。
- TB31337FTG（双带宽发射器集成电路）
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- 低电流消耗：74.0mA（典型，在+6dBm输出下，800MHz带宽），76.0mA（典型，2GHz 带宽）。
- EVM性能：3.5%rms（典型，800MHz带宽），3.5%rms（典型，2GHz带宽）。
- 高速锁定和低噪声：内置分级N型锁相环（PLL）和压控振荡器（VCO）。
- 超小而薄的封装：VTQON44（5.3 毫米 × 5.3 毫米 × 0.6 毫米，0.4毫米间距）。
- 使用了锗化硅Bi-CMOS（互补型金属氧化物半导体）工艺。
方框图
