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射频器件:产品介绍

面向1.9GHz到2.5GHz无线应用的SiGe功率放大器

部件号: TA4401CT

面向1.9GHz到2.5GHz无线应用的SiGe功率放大器: TA4401CT

WLAN、PHS和BT等应用对降低成本和提高性能的需求越来越强烈。东芝为此推出了一款新的媒体Silicon Germanium (SiGe) BiCMOS功率放大器--- TA4401CT,适用于1.9GHz到2.5GHz带宽的无线应用,包括多种无线局域网(WLAN)、PHS和BT等。
新产品采用3个串联RF级以实现线性、高效和低功耗的性能优化。TA4401CT符合IEEE802.11g标准,在18dBm平均输出功率下,增益为27.5dB,误差向量(EVM)为3%的。同时,在3.3Vdc电源下电流消耗仅125mA。该功率放大器也符合PHS ACPR规范,在23dBm输出功率和35dB增益下电流消耗为210mA。

特征

  1. 低功耗:IEEE802.11g标准下,典型电流耗用125mA。
  2. 高线性:PHS应用中,输出功率高达23dBm。
  3. 采用高性价比的SiGe BiCMOS制程工艺。
  4. 断路模式下仅有nA级漏电流。
  5. 低截面无铅16管脚CSP: 2.9mm × 2.9mm × 0.48mm

规格

TA4401CT规格表
部件号 TA4401CT
工作电压范围 2.7V到3.3V,面向PHS
3.15V到3.45V,面向IEEE802.11g
输出功率 23dBmW面向PHS
18dBmW面向IEEE802.11g
功率增益 35dB (典型值),面向23dBmW PHS
27.5dB (典型值),面向18dBmW IEEE802.11g
邻道功率比 -63dB (典型值),面向23dBmW PHS
-37dB (典型值),面向18dBmW IEEE802.11g
电流消耗 210mA (典型值),面向23dBmW PHS
125mA (典型值),面向18dBmW IEEE802.11g
工作温度 -40ºC 到+85ºC
封装 无铅16管脚CSP: 2.9mm × 2.9mm × 0.48mm

封装尺寸

面向1.9GHz到2.5GHz无线应用的SiGe功率放大器的封装尺寸: TA4401CT

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