晶体管
技术参数表/产品介绍
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新产品信息
中功率P沟道MOSFET：SSM3J327F
东芝开发了一款最大电阻为125 mΩ @ V_GS = -2.5 V的P沟道功率切换器件——SSM3J327F，这款产品采用3平方毫米左右的通用型SOT-346(S-Mini)封装. (2010年02月08日)
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MOSFET-SBD组合电池组：SSM5H14F
SSM5H14F是一种复合器件，它把用于熔断保险丝的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和用于反向电流保护的肖特基势垒二极管(SBD)合成在单一封装中。 (2010年01月21日)
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档案
- DC-DC转换高速开关专用100/150-V Power Trench MOSFET(专门设计用于汽车)：TK40X10J1、TK50X15J1、TK50F15J1 (2009年11月06日)
- 功率MOSFET超级接点DTMOS系列 (2009年09月03日)
- 用于软开关的分立式IGBT：GT60M324 (2009年08月28日)
文档
- 发表资料
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- 功率MOSFET： 低电压＆低阻抗系列 (PDF:494KB) 2007年02月
- 晶体管 产品一览表
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- 产品综合样本 (晶体管) (PDF:1210KB) 2009年08月
- 产品目录
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- 分立IGBT (PDF:643KB) 2010年03月
- MOSFETs (PDF:1618KB) 2009年09月
- 通用小信号表面贴装器件 (PDF:5396KB) 2008年03月
* Errata (PDF:99KB)