晶体管 产品介绍

东芝已拥有完善的晶体管系列产品，范围从通用小信号晶体管到主要用于功率放大的功率晶体管。同时也提供较宽范围的用于高精度和高密度电子器件的表面贴装型晶体管。

晶体管： MOS系列

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称。通常，它有3级：G：栅极，D：漏极和S：源极。通过对G提供电压实现D和S之间的打开和关闭。较之双极型，MOS具有更高速度运行和低损耗的特点。

• 小信号MOSFET
• 功率MOSFET

小信号MOSFET

小信号MOSFET (单/双)

按特征分类

• High Current Series ：1.5V/1.8V Drive Type
• High Current Series ： 2.0V/2.5V Drive Type
• High Current Series　：3.3V/4.0V/4.5V Drive Type
• Standard series：1.5V/1.8V Drive Type
• Standard Series　：2.0V/2.5V Drive Type
• Standard Series：3.3V/4.0V/4.5V Drive Type

按封装分类

• CST3
• CST4
• ES6
• ESM
• ESV
• MINI
• S-MINI
• SSM
• TESM
• TO-92
• TSM
• UF6
• UFM
• US6
• USM
• USV
• VESM

结型FET(单/双)

• Junction FETs (Surface-Mount type)
• Junction FETs (Leaded type)
• Junction FETs (Electret Condence Microphone)

功率MOSFET

按特征分类

• Drain-Source Voltage : V_DSS ≤ 30V
• Drain-Source Voltage : 30V < V_DSS ≤ 60V
• Drain-Source Voltage : 60V < V_DSS ≤ 150V
• Drain-Source Voltage : 150V < V_DSS ≤ 250V
• Drain-Source Voltage : 250V < V_DSS ≤ 500V
• Drain-Source Voltage : 500V < V_DSS ≤ 700V
• Drain-Source Voltage : 700V < V_DSS

按封装分类

• TO-220(W)
• DP
• LSTM
• New PW-Mold2
• PS-8
• PW-Mini
• PW-Mold
• SOP-8
• SOP Advance
• STP
• TFP
• TP-3P(L)
• TO-3P(N)
• TO-3P(N)IS
• TO-3P(SM)
• TO-3P(W)
• TO-220AB
• TO-220FL
• TO-220NIS
• TO-220SIS
• TO-220SM
• TPS
• TSSOP-8
• TSSOP Advance
• VS-6
• VS-8

晶体管： 双极型

双极型晶体管，又叫结型晶体管。不同于场效应晶体管（单极晶体管），之所以叫双极型，是因为它有两种载波（孔，电子）。

• 双极型小信号晶体管
• 双极型功率晶体管

双极型小信号晶体管

通用晶体管（有引脚类型）

按极性和封装分类

	TO-92	MINI
NPN	○	○
PNP	○	○

通用晶体管（表面贴装型）

按极性和封装分类

	CST3	fSM	VESM	TESM	ESM
NPN	○	○	○	○	○
PNP	○	○	○	○	○

	SSM	USM	TSM	S-MINI
NPN	○	○	○	○
PNP	○	○		○

通用晶体管（双极型）

按极性和内置线路分类

	fS6	ESV	USV	SMV
NPN ×2	○		○	○
PNP ×2	○		○	○
PNP+NPN	○	○		○

	ES6	US6	SM6
NPN ×2	○	○	○
PNP ×2	○	○	○
PNP+NPN	○	○	○

内置偏压电阻型晶体管（单极型）

按极性和封装分类

额定 V_CEO= 20V， I_C= 50mA

	ｆSM	CST3	CST6
NPN	○	○	○
PNP	○	○	○

额定 V_CEO= 50V， I_C= 100mA

	CST3	VESM	TESM	ESM	SSM
NPN	○	○	○	○	○
PNP	○	○	○	○	○

	USM	S-MINI	MINI	TO-92
NPN	○	○	○	○
PNP	○	○	○	○

额定 V_CEO= 12V， I_C= 500mA

	USM
NPN	○
PNP	○

额定 V_CEO= 50V， I_C= 800mA ： 高电流型

	S-MINI	MINI
NPN	○	○
PNP	○	○

额定 V_CEO= 20V， I_C= 300mA ： 噪声抑制开关型

	S-MINI	MINI
NPN	○	○

内置偏压电阻型晶体管（双极型）

按极性和封装分类

（双极型，通用（5引脚））

	ESV	USV	SMV
NPN ×2 共射极	○	○	○
PNP ×2 共射极	○	○	○
NPN+PNP 集电极线路	○	○	-

（双极型，通用（6引脚））

	fS6	ES6	US6	SM6
NPN ×2	○	○	○	○
PNP ×2	○	○	○	○
NPN+PNP	○	○	○
PNP+NPN		○	○	○

双极型功率晶体管

高频开关功率晶体管（2SA系列/2SC系列）

按特性分类

		VCEO(V)
		10/15		18/20		25/30		40/45		50/60
		NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP
Ic(A)	0.02到2	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○
	2.5到5	○	○	○	○	○		○	○	○	○
	7到15				○					○	○

		VCEO(V)
		80		100		120		140/150		160
		NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP
Ic(A)	0.02到2	○	○	○		○	○	○	○	○	○
	2.5到5	○	○
	7到15	○	○			○	○	○	○	○	○

		VCEO(V)
		180/200		200/230		250		300		370/400
		NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP
Ic(A)	0.02到2	○	○	○	○	○		○	○	○	○
	2.5到5									○
	7到15	○	○	○	○					○

		VCEO(V)
		450		550/600		800		1000/1200		1500
		NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP
Ic(A)	0.02到2	○		○	○	○		○		○
	2.5到5					○
	7到15	○				○

低频功率晶体管（2SB系列/2SD系列）

按特征分类

		VCEO(V)
		20到65		80到160		200到450
		NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP
Ic(A)	0.8到3	○	○	○	○
	大于3	○	○	○	○	○

功率放大晶体管

		PW模型		PW-MINI		TSM		TO-3P/92/ 126/220		MSTM/ LSTM		TPL
		NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP	NPN	PNP
Ic(A)	0.1到3	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○
	3到15	○	○	○	○	○		○	○

开关电源用晶体管

AC/DC转换器

		VCBO(V) 最大额定值(Ta=25°C)
		400～500	600	800～1000
Ic(A)	0.8到2	○	○	○
	3到10		○	○

个人用设备

		VCEO(V)
		-120 到 -50	-40 到 0	10 到 50	100 到 120
Ic(A)	-4到-2.5	○	○
	-2到0	○	○
	1到2			○	○
	大于2			○	○

IGBT

IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写。它是一个输入部分采用MOS结构输出部分为双极型的功率晶体管。适合于高电压和高电流，它可以在低驱动下实现高功率。它的应用包括了感应加热烹饪设备。

分立IGBT

按特征分类

VCES(V) Ta=25°C
400	600	900到1500
○	○	○

选通Flash IGBT

不同类型器件的组合产品

这些器件包括了不同类型独立封装的产品，如双极型晶体管和MOSFET或者是晶体管和二极管。举个例子，一些负荷开关使用带低导通电阻的MOSFET为主开关，用双极型晶体管作为其驱动。

• Combination Products of Different Type Devices (MOSFET + SBD)
• Combination Products of Different Type Devices(Bipolar Transitor/MOSFET/Diode)

功率晶体管模块

功率晶体管模块由3个或更多独立封装的功率晶体管芯片组成。它主要用在要求芯片具有同等特性的电路里，比如马达驱动。符合条件的产品有双极性晶体管，MOSFET等。

模组化S10封装

模组化S12封装

附带绝缘吸热器F12封装

功率MOSFET模组

动态

• 高压双极开关晶体管: 2SC6136/2SC6142 (2008年06月26日)
• 2021尺寸半电源MOSFET (SMOS): SSM6NxxTU/SSM6PxxTU/SSM6LxxTU (2008年06月09日)
• 1.2-V小信号MOSFET(SMOS) : SSM3K35xx(N-ch), SSM3J35xx(P-ch) (2008年05月13日)
• 1.2伏N信道小信号MOSFET(SMOS):SSM3K35xx (2008年05月13日)
• 1.5伏N信道小信号MOSFET(SMOS): SSM3K36xx (2008年04月22日)
• 同步整流DC/DC变频器用最新功率MOSFE U-MPSFET VI-H1:TPCA8028-H (2008年04月16日)
• UMOS V-H功率MOSFET系列TPCA8A02-H和TPC8A03-H (2008年04月14日)
• 功率MOSFET同步整流用TK40D10J1、TK40A10J1 (2008年03月06日)
• 用于软开关的分立式IGBT:GT40J321、GT50J328、GT50M322 (2007年12月12日)
• 中等电流晶体管，特点在于较小的2021尺寸的封装 (2007年09月05日)
• 串联式自动调光频闪观测器用IGBT的GT8G136 (2007年04月24日)
• 用于频闪器闪光控制的IGBT，具有系列连接：GT8G136 (2007年04月24日)
• 离散式IGBT,用于PDP TV: GT30F122, GT30G122 (2007年02月22日)
• 功率双极晶体管用于高电压电源设备：2SC6075，2SC6076，2SC6077，2SC6078，2SC6079 和2SC6087 (6种产品) (2007年02月22日)
• 2021大小低阻值半功率MOSFET (2006年02月21日)
• 面向降压DC-DC转换器的多芯片模组 (2006年01月26日)
• 2021大小低阻值半功率MOSFET (2006年01月24日)
• 新的200mm晶元生产线于岩手（Iwate）东芝电子安装 (2005年10月27日)
• 高电压DTMOS功率MOSFET使用超级注入结构 (2005年06月27日)
• 芯片引脚框架封装 (2005年05月19日)
• MP66系列（500V/5A 6-in-1模块） (2005年04月25日)
• 功率MOSFET U-MOSIII N-ch 60V低导通电阻R_DS(ON)系列 (2005年02月15日)

• 

• 产品介绍
  • 晶体管
    • 产品介绍
      • 晶体管：MOS
      • 双极型晶体管
      • IGBT
      • 不同类型器件的组合产品
      • 功率晶体管模块
• 应用
• 公司介绍
• 新闻和活动
• 支持

• 站点地图
• 繁體中文
• 日本语
• English

回到页首