晶体管： MOS系列
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称。通常，它有3级：G：栅极，D：漏极和S：源极。通过对G提供电压实现D和S之间的打开和关闭。较之双极型，MOS具有更高速度运行和低损耗的特点。
小信号MOSFET
- 小信号MOSFET (单/双)
-
按特征分类
- High Current Series ：1.5V/1.8V Drive Type
- High Current Series ： 2.0V/2.5V Drive Type
- High Current Series ：3.3V/4.0V/4.5V Drive Type
- Standard series：1.5V/1.8V Drive Type
- Standard Series ：2.0V/2.5V Drive Type
- Standard Series：3.3V/4.0V/4.5V Drive Type
按封装分类
- 结型FET(单/双)
功率MOSFET
按特征分类
- Drain-Source Voltage : VDSS ≤ 30V
- Drain-Source Voltage : 30V < VDSS ≤ 60V
- Drain-Source Voltage : 60V < VDSS ≤ 150V
- Drain-Source Voltage : 150V < VDSS ≤ 250V
- Drain-Source Voltage : 250V < VDSS ≤ 500V
- Drain-Source Voltage : 500V < VDSS ≤ 700V
- Drain-Source Voltage : 700V < VDSS
按封装分类
