1.2伏N信道小信号MOSFET(SMOS):SSM3K35xx
由于移动式手持小型装置(例如：手机、数码相机和便携式音频播放器)融入越来越多的功能，电池的负担随之变大。因此，内部电源电压趋于减小，以降低功率耗散。为了满足这些需求，东芝开发了一款1.2伏N信道装置，其低电压驱动水平处于行业领先地位。SSM3K35xx系列封装在一个小而薄的外壳中，CST3/VESM/SSM/ES6/US6，最适用于通用型小电流开关。
特征
- 工作电压超低:
SSM3K35xx 1.2伏驱动 (RON= 20Ω @VGS= 1.2 V)
SSM3J35xx 1.2伏驱动 (RON= 44Ω @VGS= -1.2 V) - 外壳小而薄:
CST3: 1.0×0.6×0.38毫米
VESM: 1.2×1.2×0.5毫米
SSM: 1.6×1.6 ×0.7毫米
ES6: 1.6×1.6×0.55毫米
US6: 2.0×2.1×0.9 毫米
封装详情
应用
用于手机、数码相机和便携式音频播放器的通用型开关
产品列表
| 极性 | 封装 | JEDEC IEC | JEITA | 封装 尺寸 |
部件 型号 |
VDSS (V) |
VGSS (V) |
ID (A) |
RDS(ON)max(Ω) | 输入 电容 (pF) |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS =1.2V |
VGS =1.5V |
VGS =2.5V |
VGS =4V |
||||||||||
| Nch (1合1) |
CST3 | - | - | 1006 | SSM3K35CT | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 |
| VESM | SOT-723 | - | 1212 | SSM3K35MFV | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 | |
| SSM | SOT-416 | SC-75 | 1616 | SSM3K35FS | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 | |
| Nch (2合1) |
ES6 | SOT563 | SC-89-6 | 1616 | SSM6N35FE | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 |
| US6 | SOT363 | SC-88 | 2021 | SSM6N35FU | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 | |
