1.2-V小信号MOSFET(SMOS) : SSM3K35xx(N-ch), SSM3J35xx(P-ch)
例如:手机、数码相机和便携式音频播放器，融入越来越多的功能，电池的负担随之变大。这些应用是驱动迁移从2.5 V至1.8 V电源电压降低功耗。内部电源电压趋于减小，以降低功率耗散。为了满足这些需求，东芝开发了一款1.2伏驱动装置，其低电压驱动水平处于行业领先地位。这些装置封装在一个小而薄的外壳中，CST3/VESM/SSM/ES6/US6，最适用于通用型小电流开关。
特征
- 工作电压超低:
SSM3K35xx 1.2伏驱动 (RON= 20Ω @VGS= 1.2 V)
SSM3J35xx 1.2伏驱动 (RON= 44Ω @VGS= -1.2 V) - 外壳小而薄:
CST3: 1.0×0.6×0.38 毫米
VESM: 1.2×1.2×0.5 毫米
SSM: 1.6×1.6 ×0.7 毫米
ES6: 1.6×1.6×0.55 毫米
US6: 2.0×2.1×0.9 毫米 - 高ESD保护: 200伏机器模型 (毫米)
封装详情
应用
用于手机、数码相机和便携式音频播放器的通用型开关
产品列表
| 极性 | 封装 | JEDEC IEC |
JEITA | 部件型号 | VDSS (V) |
VGSS (V) |
ID (mA) |
RDS(ON)最大 (Ω) | 输入 电容 (pF) |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | 大小 | VGS= 1.2V |
VGS= 1.5V |
VGS= 2.5V |
VGS= 4V |
||||||||
| N-ch (1合1) |
CST3 | 1006 | - | - | SSM3K35CT | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 |
| VESM | 1212 | SOT-723 | - | SSM3K35MFV | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 | |
| SSM | 1616 | SOT-416 | SC-75 | SSM3K35FS | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 | |
| N-ch (2合1) |
ES6 | 1616 | SOT563 | SC-89-6 | SSM6N35FE | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 |
| US6 | 2021 | SOT363 | SC-88 | SSM6N35FU | 20 | ±10 | 180 | 20 | 8 | 4 | 3 | 9.5 | |
| P-ch (1合1) |
CST3 | 1006 | - | - | SSM3J35CT | -20 | ±10 | -100 | 44 | 22 | 11 | 8 | 12.2 |
| VESM | 1212 | SOT-723 | - | SSM3J35MFV | -20 | ±10 | -100 | 44 | 22 | 11 | 8 | 12.2 | |
| SSM | 1616 | SOT-416 | SC-75 | SSM3J35FS | -20 | ±10 | -100 | 44 | 22 | 11 | 8 | 12.2 | |
| P-ch (2合1) |
ES6 | 1616 | SOT563 | SC-89-6 | SSM6P35FE | -20 | ±10 | -100 | 44 | 22 | 11 | 8 | 12.2 |
| US6 | 2021 | SOT363 | SC-88 | SSM6P35FU | -20 | ±10 | -100 | 44 | 22 | 11 | 8 | 12.2 | |
| N+P-ch (2合1) |
ES6 | 1616 | SOT563 | SC-89-6 | SSM6L35FE | 20/ -20 |
±10/ ±10 |
180/ -100 |
20/ 44 |
8/ 22 |
4/ 11 |
3/ 8 |
9.5/ 12.2 |
| US6 | 2021 | SOT363 | SC-88 | SSM6L35FU | 20/ -20 |
±10/ ±10 |
180/ -100 |
20/ 44 |
8/ 22 |
4/ 11 |
3/ 8 |
9.5/ 12.2 |
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